Samsung crea el chip DRAM de mas capacidad hasta la fecha

Publicado octubre 4, 2012 por brendah6000

samsung ha anunciado hoy que ha logrado hacer un gran avance en las chips de memorias DDR3 creando el primer chip de 4GBit de memoria DDRAM DDR3 , utilizando tecnología de 50nm.
Diseñado para bajo consumo, funciona a 1.35 voltios, bajando un 20% sobre la memoria estandard DDR3 de 1.5V. Su velocidad máxima es de 1.6GBits por segundo.
Haciendo una pequeña regla de 3 , podríamos ver módulos de memoria DDR3 de 32GB.

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